国产EUV光刻机突破：良率70%，试产在即
博奥Tech ｜ 2025-06-22

据爆料东莞松山湖畔的华为工厂里，一台刻着“中国制造”的庞然大物正在全速运转。 它投射出的极紫外光束精准落在晶圆上，刻画出仅有头发丝万分之一细的电路。

这不是ASML的机器，而是华为联合国内产业链自主研发的EUV光刻机。 现场工程师透露，其核心光源效率已达3.42%，距离国际顶尖水平仅差“最后一公里”。

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在华为东莞基地的无尘车间内，首台国产极紫外（EUV）光刻机已完成装机调试，进入芯片试生产流程。

测试数据显示，该设备每小时可处理250片晶圆，超越ASML同级别设备的195片产能。 其核心光源采用哈工大研发的激光诱导放电等离子体（LDP）技术，能量转换效率达到ASML方案的2.25倍，设备体积却缩小了30%。

一位参与测试的工程师描述：“当13.5纳米波长的紫色光束首次穿透晶圆时，整个车间爆发出掌声，这意味着我们真正握住了芯片制造的‘光剑’。 ”

与ASML的二氧化碳激光轰击技术不同，中国团队选择了“换道超车”策略。 哈工大开发的放电等离子体极紫外光源（DPP）采用固体脉冲激光器，直接将电能转化为等离子体辐射，省去了复杂的激光放大环节。

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这使得设备功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3。 更关键的是，该技术完全绕开ASML的LPP（激光等离子体）专利壁垒。