她返中建立870亿半导体王国
邱处机 ｜ 邱处机公众号 ｜ 2025-10-06

2025年夏天，一份英伟达供应链名单，在半导体行业引起轩然大波。

在清一色欧美日老牌厂商中，低调出现了一个陌生的中国名字：英诺赛科。

从美国宇航局首席科学家，到中国氮化镓功率半导体全球第一的创业者，英诺赛科创始人骆薇薇用八年时间，完成了从0到1的突破和逆袭。

截至2025年9月23日收盘，英诺赛科市值已高达875亿港元，成为了全球氮化镓功率半导体领域的龙头。

而这一切，始于2015年那个不被看好的决定。

一 “跳入火坑”

2015年，当骆薇薇决定回国创业时，身边几乎没有人看好她的选择。

有人甚至直言不讳地告诉她：回国创业是“火坑”，不要往里跳。最终，只有一名员工愿意追随她回国。

骆薇薇毕业于新西兰梅西大学应用数学专业，拥有博士学位。在美国宇航局（NASA）工作15年后，她先后创办了两家以新材料为核心业务的高科技公司。

凭借对行业的判断，骆薇薇在2015年带着第三代半导体氮化镓的梦想回到了中国。

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彼时，全球第三代半导体发展仍处于早期阶段，氮化镓还没有大规模商业化应用。更让业内惊讶的是，骆薇薇选择了一条与众不同的技术路径----当大多数企业还在采用6英寸或4英寸工艺时，她毅然决定直接攻关8英寸硅基氮化镓晶圆技术。