最贵光刻机，不好卖了？
半导体行业观察 ｜ 2026-07-26

最贵光刻机并未滞销，而是竞争已步入“经济可行性”阶段。四大巨头基于商业现实态度分化：英特尔激进抢跑求制程领先；台积电算账求稳暂缓导入；三星因财务压力观望；SK海力士为HBM果断引入。而ASML凭借现有设备与服务稳赚不赔，仍是最大赢家。

如今，High-NA EUV已经跨过技术验证门槛，但三大晶圆厂对它的态度出现明显分化：英特尔抢跑、台积电算账、三星踩刹车。照目前来看，三家路线不是谁先进，而是谁更需要High-NA。

英特尔：一场不能输的制程证明

2026年7月，ASML宣布，英特尔已经在部分Panther Lake产品的特定Intel 18A工艺层中使用EXE系列High-NA EUV设备，并进入高产量制造。相关High-NA工艺层已经达到与传统NXE低NA EUV平台相当的良率。

但并不是整个Intel 18A工艺都使用High-NA；也不是所有Panther Lake产品都使用High-NA，而是部分产品、部分关键层。也就是说，英特尔不是用High-NA全面替代Low-NA，而是在真实量产环境中验证曝光、套刻、设备利用率、良率和维护数据。

早在2024年，英特尔与ASML在位于俄勒冈州希尔斯伯勒的研发中心完成了业界首台商用高数值孔径EUV光刻系统的集成。英特尔晶圆代工也是首家安装并通过第二代TWINSCAN EXE:5200B验收测试的公司。TWINSCAN EXE:5200B基于TWINSCAN EXE:5000，在提升输出功率和套刻精度的同时，还采用了改进的光源。

英特尔为什么最激进？因为对英特尔而言，High-NA的价值不只是减少多重曝光步骤，而是为Intel 14A建立差异化优势。

目前对于英特尔代工来说，是一个关键的时间节点。最近英特尔晶圆代工厂拿下AMD、NVIDIA和OpenAI订单，其18A和14A制程节点设计方案成功中标。据wccftech报道称，18A工艺的良率已从上一季度的65%提升至85%，仅次于台积电N2（2纳米）工艺90%的良率，但远高于三星SF2工艺50-60%的良率。

High-NA对于英特尔来说，是另一张王牌加持。英特尔官方路线图已经把High-NA EUV列为Intel 14A的重要技术之一，与PowerDirect背面供电并列。英特尔若能率先掌握High-NA量产，不仅有机会改善晶体管密度和工艺复杂度，也能向潜在代工客户证明自己仍有能力率先导入下一代制造平台。

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因此，英特尔的路线可以概括为：先把High-NA放进18A的小部分量产层中“练兵”，再在14A扩大使用范围。这条路线成本最高、风险也最大，但英特尔需要用技术领先换取时间。对台积电来说，High-NA是一个成本选择；对英特尔来说，它更像是一场必须赢的制程证明。