中国记忆体巨头弯道翻车：良率25%
自由时报 ｜ 2026-09-10

韩媒披露，中国记忆体大厂长鑫存储在高频宽记忆体（HBM）的生产，遭遇严峻的技术瓶颈，主力研发的 8层堆叠 HBM3 记忆体芯片良率处于低水准，仅 25% 至 30%。

《Wccftech》引述韩媒《Chosun Biz》报道称，近年长鑫存储能够在全球记忆体市场快速崛起，其中一项原因，就是三星电子、SK海力士与美光等传统记忆体大厂将更多产能与资源转向HBM，使长鑫存储得以扩大DRAM供应。

不过，长鑫存储在尝试自主研发高阶 HBM 芯片时，遭遇严重的技术瓶颈。业界人士指出，长鑫存储主力研发的 8层堆叠 HBM3 记忆体芯片，良率只有 25% 至 30% 的低水准。在每批次 100 颗 HBM3 芯片中，高达 80 颗无法通过品质检测。即使顺利产出，剩馀的最终产品在通过额外测试后，也仅有 70% 可以交付给客户。

报道指，单颗标准长鑫存储 HBM 芯片需开凿多达 3000 个矽穿孔（TSV），借由垂直导线连接各个层级并与基础芯片通讯。目前长鑫存储在钻孔与导线配置等 TSV 技术遇到挑战，在 DRAM 晶圆层之间的堆叠与键合（Bonding）技术上亦面临困难。

HBM目前已成为全球记忆体产业最关键的产品之一。随著全球AI资料中心持续大规模扩建，HBM需求快速增加，也成为AI芯片供应链的重要瓶颈。