花旗认为,随着AI从单纯的训练与推理阶段迈入"持续学习"时代,HBM、服务器DDR5及企业级固态硬盘(eSSD)的需求将从2027年起同步爆发性增长。在需求急速攀升的同时,供给端受制于HBM产能占用和技术迁移放缓,扩产步伐远落后于需求,供需失衡态势料持续延伸至2031年。 AI记忆能力的结构性跃升,正将全球内存市场推向一个持续数年的供给短缺周期。 据追风交易台消息,花旗在9月14日的报告中表示,随着AI从单纯的训练与推理阶段迈入"持续学习"时代,HBM、服务器DDR5及企业级固态硬盘(eSSD)的需求将从2027年起同步爆发性增长。花旗预计,DRAM供需比(S/D ratio)将在2027年和2028年分别恶化至-8.7%和-9.7%,NAND同期供需比亦将跌至-6.1%和-5.5%,供需失衡态势料持续延伸至2031年。 在需求急速攀升的同时,供给端受制于HBM产能占用和技术迁移放缓,扩产步伐远落后于需求。花旗据此预计,2027年全球内存资本支出将同比大增46.5%至804亿美元,但受制于产能建设的漫长交期,即便大规模投资也难以填补供需缺口。 持续学习:AI内存需求的新驱动范式 花旗研究指出,"持续学习"(Continual Learning)将是未来五年AI领域的核心主题。与当前AI模型在训练后固化参数的模式不同,持续学习允许模型在运行中不断吸收新知识,同时保留此前习得的信息。
这一方法的核心挑战在于平衡新知识的学习与防止"灾难性遗忘"。为此,AI系统需要持续进行模型更新,同时保持对历史数据的高效访问——两者均对内存提出显著更高的要求。 |
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