长鑫存储11.95纳米芯片量产
人工智能学家 ｜ 2026-09-21

一颗指甲盖大小的内存芯片，正在搅动一场全球产业博弈。9月20日，中国存储巨头长鑫存储技术有限公司（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台"G5"已正式进入量产阶段。公司用词颇为自信，称这是存储密度上的"量子飞跃"，工艺水平已经"接近全球最先进的量产存储平台"。

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这话听起来像是自吹自擂，但细看数据，分量确实不轻。长鑫展示的24吉比特LPDDR5X芯片，容量比上一代提升了50%。在存储芯片长期被韩美企业垄断的格局下，一家成立不到十年的中国公司喊出这样的口号，值得掰开揉碎看个明白。

更关键的是，这背后还牵出了光刻机禁运、市场份额洗牌、成本良率之争等一连串问题。芯片这门生意，从来不是单靠一句宣传口号就能讲清楚的。

在中美科技博弈持续多年的大背景下，存储芯片一直被视为中国半导体自主可控的关键突破口。手机、电脑、服务器几乎无一离得开DRAM，一旦供应受制于人，产业链安全就无从谈起。长鑫此次的高调发布，某种程度上也是在向外界展示中国存储产业的抗压能力。

G5平台：11.95纳米的"极限操作"

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公开信息显示，G5平台的核心突破在于工艺尺寸。长鑫将有源区半间距做到了11.95纳米。这个数字直接对标SK海力士目前最先进的1c节点，也就是业内俗称的"12纳米级别"存储工艺。